বেইজিং – চীনের একদল গবেষক অত্যন্ত দ্রুতগতির একটি নতুন ফ্ল্যাশ মেমোরি ডিভাইস তৈরি করেছেন, যা বর্তমানের প্রচলিত মেমোরি প্রযুক্তির চেয়ে প্রায় ১ লাখ গুণ দ্রুত ডেটা ট্রান্সমিট করতে পারে। এই ডিভাইসটির নাম দেওয়া হয়েছে ‘পোক্সিয়াও‘। এটি ভবিষ্যতে উচ্চগতির কম্পিউটিং, কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তা (এআই) এবং ডেটা সেন্টারে বিপ্লব ঘটাতে পারে বলে মনে করা হচ্ছে।
এই নতুন মেমোরি ডিভাইসটি ফেমটোসেকেন্ড স্কেলে (১ সেকেন্ডের কুয়াড্রিলিয়নতম অংশ) ডেটা প্রক্রিয়া করতে সক্ষম, যা বর্তমানের NAND বা DRAM মেমোরির তুলনায় অনেক বেশি কার্যকর। গবেষকদের দাবি, এটি শুধু গতিই বাড়াবে না, তবে শক্তির দক্ষতাও উন্নত করবে, যা এআই ও বিগ ডেটা অ্যাপ্লিকেশনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ।
যদিও এই প্রযুক্তি যুগান্তকারী, তবে গবেষকরা বলছেন যে এটি বাণিজ্যিকভাবে উৎপাদন করতে আরও অন্তত এক দশক সময় লাগবে। এর কারণ, বর্তমান প্রযুক্তির সাথে সামঞ্জস্য রেখে উৎপাদন প্রক্রিয়া উন্নত করা একটি বড় চ্যালেঞ্জ।
প্রকল্পের নেতৃত্বদানকারী বিজ্ঞানী ড. লি ঝাও বলেন, “পোক্সিয়াও মেমোরি ভবিষ্যতের কম্পিউটিং আর্কিটেকচারে আমূল পরিবর্তন আনতে পারে, তবে আমরা এখনও প্রোটোটাইপ পর্যায়ে আছি। ব্যবহারিক প্রয়োগের জন্য আরও গবেষণা প্রয়োজন।”
এই উদ্ভাবন আন্তর্জাতিকভাবে প্রশংসিত হয়েছে এবং এটি যদি সফলভাবে বাস্তবায়িত হয়, তাহলে এটি চীনকে সেমিকন্ডাক্টর ও মেমোরি প্রযুক্তির শীর্ষস্থানীয় দেশ হিসেবে প্রতিষ্ঠিত করতে সাহায্য করবে।
